Products取扱製品
MacdermidAlpha社製水分吸着剤/パーティクルゲッター剤
MacdermidAlpha社製水分吸着剤、パーティクルゲッター剤は、高信頼性が要求される光通信、医療向けデバイス・機器、航空・宇宙・軍事用デバイス、MEMS等の民生・ハイエンドアプリケーション製品の信頼性向上に最適な製品です。
以下の3種類の製品を取り揃えております。
自重の約15%の水分・二酸化炭素を吸着 | HiCap2000シリーズ |
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水分に加えて微粒子を捕捉 | GA2000-2 |
水素・水分を吸着する超ハイエンド用 | H2-3000 |
HiCap2000 水分吸着剤・水分ゲッター剤(ペーストタイプ)
150~200℃で処理が可能なペースト状の水分吸着材、水分・CO2ゲッター剤(乾燥剤)です。
ディスペンスやスクリーン印刷による塗布が可能。塗布・乾燥処理後は、通常クリーンルームで想定される温度・湿度条件下においては、10時間程度までは吸水スピードが極めて緩やかなため、一般的な水分吸着剤・水分ゲッター剤に要求される厳しい工程管理が不要となり、大量生産への展開も比較的容易に実現します。光通信デバイス、医療用デバイス、宇宙・航空・軍事用途等での採用が増えております。
なお、HiCap2100はさらに高耐熱性を有する派生商品です。
特長
- 自重(熱処理後)の約15%の水分を吸着
- 通常の使用温度範囲内では、一度吸着した水分は再放出されない(不可逆性)
- ディスペンスやスクリーン印刷に対応しており、任意の形状・厚みに塗布可能
- 一般的なゲッター剤と異なり、熱処理直後は吸水速度が極めて遅く、取扱管理が容易
- 製造日より6ヶ月保管可能(冷蔵保管)
塗布・乾燥処理プロセスの一例
- スクリーン印刷、ディスペンス等の方法で、パッケージのリッドの裏側に塗布
- ピーク温度150~170℃程度で30~60分間加熱処理
- リッドの封止処理
なお、熱処理終了直後から水分の吸着が始まりますが、一般的なクリーンルーム環境では約10時間程度は吸水速度が極めて緩やかなため、面倒な雰囲気管理が不要です。
アプリケーション例
- 各種光通信デバイス(可変利得等化器、光スイッチ等)
- ハーメチックシールされたMEMS、MOMEMS等のデバイス(スティッキング防止)
- 医療関連デバイス
- 宇宙・軍事・航空等の超高信頼性が要求される高付加価値ハイエンドパッケージ
物性データ
ペースト色 | 青または黒 |
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粘度 | 70~140Kcps@1rpm(Brookfield DVIII #51スピンドル) |
水分吸着率(乾燥後自重比) | 15%以上 |
250℃でのウェイトロス | <1.5% |
処理温度・時間 | 15~90分@@200℃または30~120分@150℃ |
Tg | 約93℃ |
吸水率
熱処理後の水分吸水率
X軸:経過時間(h)、Y軸:吸水率(ゲッター剤の自重に対する%)
JEDECレベル1(85℃/85%の高温高湿環境)
GA2000-2 微粒子(パーティクル)・水分ゲッター剤
自重の約2%の吸水性能を有すると同時に処理後の表面がタック性を持ちますので、パッケージ内で発生した微粒子も捕捉します。ペーストタイプですので、ディスペンス、印刷による塗布が可能です。
GA2000-2の特長
- 米軍Mil規格 883 Method 5011.3をパス
- 様々な材質の基板・リッドに良好な密着性
- MEMS、MOEMSパッケージの信頼性向上に最適
PIND(粒子衝撃雑音検出)試験にもパス
MEMS機構部品から発生する微粒子、下請けメーカーでの組立作業時に誤って封止される恐れのある混入物を捕捉し、信頼性の向上に貢献します。
物性データ
ペースト外観 | シリコーン系、青色(2液混合後) |
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粘度(kcps) | 40~80@5rpm |
水分吸着率(乾燥後自重比) | 2%以上 |
ウェイトロス | <1.7% 250℃ <0.5% 200℃ |
処理温度・時間 | 乾燥 120分@@150℃ 活性化 30分@225℃ |
常用温度域 | -55~200℃ |
絶縁耐圧 | 470V/25ミクロン(膜厚1.9mm) |
イオン不純物 | Na+ <50ppm
K+ <50ppm Cl- <200ppm Fl- <50ppm |
H2-3000 水素・水分吸着剤・水分ゲッター剤(フィルムタイプ)
GaAsチップ、電波吸収体が使用されているハーメチックパッケージ内で発生する水素・水分を吸着する、超ハイエンド・高付加価値製品向けのフィルム状のゲッター剤です。
H2-3000の特長
- 水素吸着能力 > 45cm3/g
- 水分吸着能力 > 自重の5%
- 24時間以内にパッケージ内の水素レベルは1ppmに
- -55℃~200℃の広い温度域で使用可能
アプリケーション例
- GaAsチップが使用されている超ハイエンドハーメチックパッケージ、MEMS・MOMEMS等のハイエンド向けハーメチックパッケージ
- セラミックPGA
- その他宇宙、軍事、航空等、極めて高い信頼性が要求されるパッケージ
物性データ
製品形状 | フィルム(黒色) |
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保存条件 | 室温 |
保存可能期間 | 12カ月 |
密度 | 1.30~1.50g/cc |
200℃でのウェイトロス | 1.0%以下 |
CTE | 440ppm/℃ |
イオン不純物 | Na+ <204ppm
N+ <502ppm Cl- <200ppm Fl- <50ppm |
体積抵抗値@10MHz | 1.76×1012Ω-cm |
誘電正接 | 4.14×10-6 |
誘電率 | 3.76 |
絶縁耐圧 | 1350V |
使用方法
- プライマー(推奨品:Dow Corning DC1204)をリッド並びに水分吸着剤『H2-3000』の接着面に塗布し、乾燥(約4時間)
- シリコーンRTV(推奨品:Dow Corning RTV3145、灰色)を接着面のいずれかに塗布
- H2-3000を圧着し、はみ出た余分なシリコーンRTVを拭き取り
- 25℃/85%の雰囲気でシリコーンRTVを硬化(16時間)
- 150℃で約16時間加熱し、活性化(真空炉、650Pa以下)
- 活性化終了直後にリッドシールを行う(活性化後、45分程度で吸水性能の約90%の水分を吸収します。)
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