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装置概要
一覧表
SST Vacuum Reflow System 真空/加圧リフロー装置
| Model 1200 |
Model 518 |
Model 5100 |
Model 3130 |
Model 3150 |
Model 8301 |
Model 8303 |
|
| サイズ W×D×H |
780×640×480 | 1020×890×1070 | 1080×860×1400 | 1370×1090×1350 | 2380×1090×1370 | 3160×1810×2700 | 4700×1810×2700 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 重量 （kg） |
80 | 360 | 455 | 545 | 816 | 1362 | 2268 |
| 対応サイズ （mm） |
115×90 | 230×230 | 305×305 | 225×225 | 160×160 | 330×470 | 330×470 |
| 対応高さ （mm） |
50 | 100 | 112 | 152 | 152 | 114 | 114 |
| 最大温度 （℃） |
450 | 500 | 500 | 500 1000 |
500 1000 |
500 1000 |
500 1000 |
| 加熱レート （℃/秒） |
4 | 3 | 4 | 3 | 3 | 4 | 4 |
| 加熱方式 | IR輻射 | IR輻射 | IR輻射 | 接触加熱 | 接触加熱 | IR輻射 | IR輻射 |
| 真空度 （mtorr） （mbar） |
100 0.13 |
50 0.067 |
50 0.067 |
50 ＜0.067 |
1×10-5 ＜1.3×10-7 |
50 0.067 |
50 ＜0.067 |
| 圧力 （psig） （Mpa） |
50 0.45 |
40 0.37 |
40 0.37 |
60 0.5 |
15 0.18 |
40 0.37 |
40 0.37 |
| 均熱性 | ±5℃ | ±1% | ±1% | 5-20℃ | 5-20℃ | ±1% | ±1% |
| 使用ガス | N2+1 | N2+1 | N2+1 （+ギ酸） |
N2+1 | N2+1 | N2+1 （+ギ酸） |
N2+1 （+ギ酸） |
| 冷却（L/m） at20-25℃ |
4 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 |
| 電力 | 3.0kVA 110-220VAC 単相（50/60Hz） |
8.1kVA 110-120VAC 単相（50/60Hz） |
208-240VAC 三相（50/60Hz） 50A 20kW（MAX） |
208-240VAC 単相（50/60Hz） 60A 13kW（MAX） |
208-240VAC 単相（50/60Hz） 60A 15kW（MAX） |
400VAC 三相（50/60Hz） 100A 15kW（MAX） |
400VAC 三相（50/60Hz） 100A 15kW（MAX） |
Model1200
研究開発・少量生産用バッチタイプ 卓上型真空・加圧リフロー装置
“業界屈指”小型で高性能、プロセス開発、少量生産に最適な卓上型真空/加圧リフロー装置
SST Vacuum Reflow Systems社製のModel 1200は、マイクロエレクトロニクスパッケージや電子部品のフラックスレス＆ボイドレスはんだ付けのプロセス開発、少量生産に最適な装置です。
シンプルな操作性でフレキシブルなプロファイル作成機能による温度制御を利用した自動プロセスコントロールが可能です。ギ酸対応可能。
対応プロセス（代表例）
ボイドレスリフロー
ボイドレスチップー基板はんだ付けにより、均一で高放熱性を実現し、高信頼性マイクロエレクトロニクス部品に必須のプロセスです。
高真空MEMS封止
高真空ディスクリートMEMSパッケージ封止/シーリングは、モイスチャーを揮発、及びゲッター材のアクティベーションとハーメチックリッド封止を高温のベーキングプロセスを一括で行うプロセスです。
対応アプリケーション（代表例）
| 車載部品 | 高周波パッケージ/マイクロウェーブパッケージ |
| CPVソーラーセルモジュール | 水晶振動子 |
| ファイバーオプティクス | MMIC |
| フリップチップ | 振動子 |
| GaN MMIC | ペースメーカー |
| 補聴器用アンプ | パワーモジュール |
| ハーメチック電極ガラス封止 | 圧力センサー |
| 埋込み型医療機器 | 通信機器 |
| レーザーダイオード/LD | RFデバイス |
| LED |
装置仕様概要
| 最大温度 | 450℃ |
|---|---|
| 真空レベル | 100milltorr（0.13mbar） |
| 最大加圧レベル | 50psig（4.5bar/0.45MPa） |
| 加熱エリア | 125x100mm |
| 推奨プロセスエリア | 115x90mm |
| プロセスエリア温度均一性 | ±5℃ |
| プロセスガス | N2＋1、0.35MPa |
| 冷却水 | 循環チラーはオプション 4lpm@0.2MPa |
| 電力・電源 | 3.0kVA、110or220VAC、単相、50/60Hz |
| 装置寸法（WxDxH） | 780x640x480mm |
| 装置重量 | 80kg |
※ 装置仕様は予告無く変更されることが有ります。
Model518
少量生産・量産用バッチタイプ 真空・加圧リフロー装置
研究開発用途、プロセス開発、少量多品種生産に最適でエコノミーなバッチ式真空/加圧リフロー装置
SST Vacuum Reflow Systems社製のModel 518は、パフォーマンスとバリューを両立した研究開発用途、少量多品種生産に最適な真空/加圧リフロー装置です。ユニークな設計のIRヒーターによりプロセスエリアの温度フィードバック制御を行いながらプロセスエリア全体を均一に加熱します。マイクロエレクトロニクスパッケージや電子部品のフラックスレス/ボイドレスはんだ付けの少量多品種生産に最適な装置です。加熱、真空と加圧の制御が簡単に設定できます。ギ酸対応可能。
対応プロセス（代表例）
ボイドレスリフロー
ボイドレスチップー基板はんだ付けにより、均一で高放熱性を実現し、高信頼性マイクロエレクトロニクス部品に必須のプロセスです。
高真空MEMS封止
高真空ディスクリートMEMSパッケージ封止/シーリングは、モイスチャーを揮発、及びゲッター材のアクティベーションとハーメチックリッド封止を高温のベーキングプロセスを一括で行うプロセスです。
対応アプリケーション（代表例）
| ボイドレス共晶接合 | ハイブリッドマイクロエレクトロニクス回路部品 |
| フラックスレスはんだ付けプロセス開発 | ファイバーオプティクス |
| 高信頼性マイクロエレクトロニクス部品 | セラミックパッケージ封止 |
装置仕様概要
| 加熱温度レンジ | 100-500℃ |
|---|---|
| 真空レベル | 50milltorr（0.067mbar） |
| 最大加圧レベル | 40psig（3.7bar/0.37MPa） |
| プロセスエリア | 230x230mm |
| 最大昇温レート（真空時） | 4℃/sec |
| プロセスガス | N2（必須）＋1、0.7MPa プロセスガスにギ酸/蟻酸、フォーミングガスオプション有り |
| 冷却水 | 循環チラーはオプション 8lpm@20-25℃、チラー容量：2kW、0.2MPa |
| 電力・電源 | 8.1kVA、110or220VAC 単相、380VAC 3相、50/60Hz |
| 装置寸法（WxDxH） | 1020x890x1070mm |
| 装置重量 | 360kg |
| チャンバー深さ | 100mm |
※ 装置仕様は予告無く変更されることが有ります。
Model5100
少量生産・量産用バッチタイプ 真空・加圧リフロー装置
次世代のプロセスに対応、ボイドレスを実現する高性能バッチ式真空/加圧リフロー装置
SST Vacuum Reflow Systems社製のModel
5100は、高精度に昇温・降温設定をオート制御する事が可能で、処理ガス雰囲気で最高500℃までの昇温と降温を制御すると共に真空レベルは50mtorr、加圧レベルは3.7bar(0.37Mpa)までの設定が可能です。プロセスレシピの保存可能数に制限はありません。
ユニークな設計のIRヒーターによりプロセスエリアの温度をフィードバック制御しながらプロセスエリア全体を均一に加熱します。ギ酸対応可能。
マイクロエレクトロニクスパッケージやパワーモジュールなどのフラックスレス＆ボイドレスはんだ付けの試作/量産に最適な装置です。
対応プロセス（代表例）
ボイドレスリフロー
ボイドレスチップー基板はんだ付けにより、均一で高放熱性を実現し、高信頼性マイクロエレクトロニクス部品に必須のプロセスです。
高真空MEMS封止
高真空ディスクリートMEMSパッケージ封止/シーリングは、モイスチャーを揮発、及びゲッター材のアクティベーションとハーメチックリッド封止を高温のベーキングプロセスを一括で行うプロセスです。
対応アプリケーション（代表例）
| 車載部品 | 高周波パッケージ / マイクロウェーブパッケージ |
| CPVソーラーセルモジュール | 水晶振動子 |
| ファイバーオプティクス | MMIC |
| フリップチップ | 振動子 |
| GaN MMIC | ペースメーカー |
| 補聴器用アンプ | パワーモジュール |
| ハーメチック電極ガラス封止 | 圧力センサー |
| 埋込み型医療機器 | 通信機器 |
| レーザーダイオード / LD | RFデバイス |
| LED | サージ防護機器 |
装置仕様概要
| 加熱温度レンジ | 100-500℃ |
|---|---|
| 真空レベル | 50milltorr（0.067mbar） |
| 最大加圧レベル | 40psig（3.7bar/0.37MPa） |
| プロセスエリア | 305x305mm |
| プロセスエリア温度均一性 | ±1℃ |
| プロセスガス | N2（必須）＋1、0.7MPa プロセスガスにギ酸/蟻酸、フォーミングガスオプション有り |
| 冷却水 | 循環チラーはオプション 8lpm@20-25℃、チラー容量：2kW、0.2MPa |
| 電力・電源 | 208-240VAC、50/60Hz、3相、50A、20kVA（最大）（5.0kVA平均） 380VAC、50/60Hz、三相、30A |
| 装置寸法（WxDxH） | 1080x860x1400mm |
| 装置重量 | 455kg |
※ 装置仕様は予告無く変更されることが有ります。
Model3130
少量生産・量産用バッチタイプ 真空・加圧リフロー装置
マイクロエレクトロニクスパッケージの量産に最適なバッチ式真空/加圧リフロー装置
SST Vacuum Reflow Systems社製のModel
3130は、高精度に昇温・降温設定をオート制御可能な真空・加圧リフロー装置です。真空はんだリフロー、ガラス封止、共晶接合などのマイクロエレクトロニクスパッケージの量産に最適な“ロングセラー”バッチ式真空/加圧リフロー装置で、処理ガス雰囲気で500℃（オプションにて1000℃）までの昇温と降温制御と共に真空レベルは50mtorr、加圧レベルは5bar（0.5Mpa）までの設定が可能です。
プロセスレシピの保存可能数に制限はありません。
プロセスエリアの温度をフィードバック制御しながらプロセスエリア全体を均一に加熱する事が出来るので、マイクロエレクトロニクスパッケージや電子部品のフラックスレス＆ボイドレスはんだ付け、ろう付、共晶接合、アニール処理、ガラス封止、ガラス金属接合の量産や研究開発に最適な装置です。
対応プロセス（代表例）
ボイドレスリフロー
ボイドレスチップー基板はんだ付けにより、均一で高放熱性を実現し、高信頼性マイクロエレクトロニクス部品に必須のプロセスです。
ガラス金属接合
ガラス金属接合は高温炉で高気密封止/ハーメチック接合しします。 高気密パッケージの外部との電極端子の封止にも採用されているプロセスです。
高真空MEMS封止
高真空ディスクリートMEMSパッケージ封止/シーリングは、モイスチャーを揮発、及びゲッター材のアクティベーションとハーメチックリッド封止を高温のベーキングプロセスを一括で行うプロセスです。
対応アプリケーション（代表例）
| アクセレロメーター/加速度計 | 高周波パッケージ/マイクロウェーブパッケージ |
| 原子時計 | 水晶振動子 |
| 車載電子部品 | MMIC |
| 車載部品 | 振動子 |
| CPVソーラーセルモジュール | ペースメーカー |
| ファイバーオプティクス | パワーモジュール |
| フリップチップ | 圧力センサー |
| GaN MMIC | 通信機器 |
| 補聴器用アンプ | RFデバイス |
| ハーメチック電極ガラス封止 | サージ防護機器 |
| 埋込み型医療機器 | ジャイロスコープ/ヨーレートセンサー |
| レーザーダイオード / LD | LED |
装置仕様概要
| 加熱温度レンジ | 100 - 500℃（1000℃オプション有り） |
|---|---|
| 真空レベル | 50milltorr（0.067mbar） |
| 最大加圧レベル | 60psig（5bar/0.5MPa） |
| プロセスエリア | 225cm^2 |
| 最大昇温レート（真空時） | 4℃/sec |
| プロセスガス | N2（必須）＋1、0.7MPa プロセスガスにギ酸/蟻酸、フォーミングガスオプション有り |
| 冷却水 | 循環チラーはオプション 8lpm@20-25℃、チラー容量：2kW、0.2MPa |
| 電力・電源 | 13kW、208-240 VAC 単相、60A、50/60Hz |
| 装置寸法（WxDxH） | 1370x1090x1350mm |
| 装置重量 | 545kg |
※ 装置仕様は予告無く変更されることが有ります。
Model3150
少量生産・量産用バッチタイプ 高真空・加圧リフロー装置
高真空でのゲッター焼成、気密封止などを得意としたバッチ式真空/加圧リフロー装置
SST Vacuum Reflow
Systems社製のModel3150は、高真空炉として10-7Torrの高真空で最高500℃（オプションにて最大1000℃）に適応した高度なパッケージング機能を提供します。
クリーンルームにも対応しており、蓋を完全に取り外す事が可能です。ゲッター焼成、およびMEMSパッケージの気密封止などのアプリケーションに最適です。ターボ分子ドラッグポンプの採用により、水素ガス分子を効率的にポンピングする事が可能です。
非常に低いレベルの残留水蒸気を必要とするプロセスには、オプションの極低温水ポンプを用意しています。
対応プロセス（代表例）
ボイドレスリフロー
ボイドレスチップー基板はんだ付けにより、均一で高放熱性を実現し、高信頼性マイクロエレクトロニクス部品に必須のプロセスです。
ガラス金属接合
ガラス金属接合は高温炉で高気密封止/ハーメチック接合しします。 高気密パッケージの外部との電極端子の封止にも採用されているプロセスです。
高真空MEMS封止
高真空ディスクリートMEMSパッケージ封止/シーリングは、モイスチャーを揮発、及びゲッター材のアクティベーションとハーメチックリッド封止を高温のベーキングプロセスを一括で行うプロセスです。
対応アプリケーション（代表例）
| 高真空炉アプリケーション | 加速度計 |
| MEMSパッケージシーリング | 原子時計 |
| 赤外線センサーパッケージシーリング | 車載部品 |
| 水晶発振器パッケージシーリング | 高精度ジャイロスコープ |
| ハーメチックパッケージシーリング | MEMSデバイス |
| ウェハレベルパッケージ | ミニチュアクリスタル |
| ボイドフリー共晶ダイアタッチ | ミニチュアランプ |
| 低水分パッケージシーリング | ナイトビジョンIRセンサー |
| ノーベルガスミニチュアランプシーリング | 発振器 |
| 軍事用電子パッケージのシーリング | 圧力センサー |
| 非冷却マイクロボロメーター | 固体酸化物燃料電池 |
装置仕様概要
| 加熱温度レンジ | 100-500℃（1000℃オプション有り） |
|---|---|
| 真空レベル | 1×10M-5milltorr（1.3×10-7mbar） |
| 最大加圧レベル | 15psig（1.8bar/0.18MPa） |
| プロセスエリア | 160㎜^2 |
| 最大昇温レート（真空時） | 3℃/sec |
| プロセスガス | N2（必須）＋1、0.7MPa プロセスガスにギ酸/蟻酸、フォーミングガスオプション有り |
| 冷却水 | 循環チラーはオプション 8lpm@20-25℃、チラー容量：2kW、0.2MPa |
| 電力・電源 | 15kW、208-240VAC 単相、60A、50/60Hz |
| 装置寸法（WxDxH） | 2380x1090x1370mm |
| 装置重量 | 816kg |
| チャンバー深さ | 100mm |
※ 装置仕様は予告無く変更されることが有ります。
Model8301/8303
量産用インラインタイプ 真空・加圧リフロー装置
高精度な昇温/高温制御と真空/加圧制御に加え、投入/排出を自動化したインライン式真空/加圧リフロー装置
Model8301シングルチャンバー
SST Vacuum Reflow Systems社製のModel
8300シリーズは、高精度に昇温・降温設定および真空・加圧をオート制御する事によりボイドレス＆フラックスレスはんだ付けに適した真空・加圧リフロー装置です。
コンベア及びガントリー式搬送装置およびはんだ付けプロセスを正確に制御する事で信頼性の高い大量生産が可能となりました。最大500℃までの加熱が可能で、50mtollの真空レベルから40psigの加圧レベルまでを自動制御しながら不活性ガス環境でリフローを行い、急速冷却ユニットによるデバイスの急速冷却までを1つのチャンバーで完了する事が可能です。
Model8303トリプルチャンバー
対応プロセス（代表例）
ボイドレスリフロー
ボイドレスチップー基板はんだ付けにより、均一で高放熱性を実現し、高信頼性マイクロエレクトロニクス部品に必須のプロセスです。
高真空MEMS封止
高真空ディスクリートMEMSパッケージ封止/シーリングは、モイスチャーを揮発、及びゲッター材のアクティベーションとハーメチックリッド封止を高温のベーキングプロセスを一括で行うプロセスです。
対応アプリケーション（代表例）
| 車載部品 | 高周波パッケージ / マイクロウェーブパッケージ |
| CPVソーラーセルモジュール | 水晶振動子 |
| ファイバーオプティクス | MMIC |
| フリップチップ | 振動子 |
| GaN MMIC | ペースメーカー |
| 補聴器用アンプ | パワーモジュール |
| ハーメチック電極ガラス封止 | 圧力センサー |
| 埋込み型医療機器 | 通信機器 |
| レーザーダイオード / LD | RFデバイス |
| LED | サージ防護機器 |
装置仕様概要
| 加熱温度レンジ | 100-500℃（1000℃オプション有り） |
|---|---|
| 真空レベル | 50milltorr（0.067mbar） |
| 最大加圧レベル | 40psig（3.7bar/0.37MPa） |
| プロセスエリア | 330×470㎜ |
| 最大昇温レート（真空時） | 4℃/sec |
| プロセスガス | N2（必須）＋1、0.7MPa プロセスガスにギ酸/蟻酸、フォーミングガスオプション有り |
| 冷却水 | 循環チラーはオプション 8lpm@20-25℃、チラー容量：2kW、0.2MPa |
| 電力・電源 | 15kW、400VAC 三相、100A、50/60Hz |
| 装置寸法（WxDxH） | 8301：3160x1810x2700mm 8303：4700x1810 x2700mm |
| 装置重量 | 8301：1362kg 8303：2268kg |
※ 装置仕様は予告無く変更されることが有ります。
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